ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ ЭФФЕКТА ЗАЩЁЛКИВАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

Гадоев С.М.

Аннотация орус тилинде:

Исследовано изменение важнейших параметров эффекта защелкивания комплементарных металл-окисел полупроводниковых интегральных схем (КМОП ИС). С помощью этой модели можно достаточно адекватно прогнозировать температурные зависимости параметров эффекта в КМОП ИС структур, что позволяет рекомендовать их для исследования систем автоматизации проектирования (САПР) КМОП ИС.

Түйүндүү сөздөр орус тилинде:

структура; ток удержания; эффект; микросхема; температура; защелкивание

ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ ЭФФЕКТА ЗАЩЁЛКИВАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

Гадоев С.М.

Аннотация кыргыз тилинде:

Исследовано изменение важнейших параметров эффекта защелкивания комплементарных металл-окисел полупроводниковых интегральных схем (КМОП ИС). С помощью этой модели можно достаточно адекватно прогнозировать температурные зависимости параметров эффекта в КМОП ИС структур, что позволяет рекомендовать их для исследования систем автоматизации проектирования (САПР) КМОП ИС.

Түйүндүү сөздөр кыргыз тилинде:

структура; ток удержания; эффект; микросхема; температура; защелкивание

TEMPERATURE DEPENDENCE OF PARAMETERS OF EFFECT LATCH-UP OF INTEGRATED MICROCIRCUITS

Gadoev S.M.

Аннотация англис тилинде:

The article considers change of parameters of effect latch-up complementary metal-oxide of the semiconductor integrated circuits (CMOS IS). By means of this model it is possible to predict adequately enough temperature dependences of parameters of effect in CMOS IS structures that allows to recommend than for research in structure (SAPR) CMOS IS.

Түйүндүү сөздөр англис тилинде:

structure; holding; current; the effect; chip; temperature; latch-up